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SIHD12N50E-GE3

Vishay photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SIHD12N50E-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 550 V 10.5A(Tc) 114W(Tc) D-Pak
规格说明书:
SIHD12N50E-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 886 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 114W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TA)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
管件
单价:¥9.138326 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.954075 ¥17.95
10+ ¥16.147477 ¥161.47
100+ ¥12.976047 ¥1297.60
500+ ¥10.661388 ¥5330.69
1000+ ¥9.138326 ¥9138.33

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