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IPD60N10S4L12ATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPD60N10S4L12ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
- 规格说明书：
- IPD60N10S4L12ATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 46µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3170 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.106222 | ￥16.11 |
| 10+ | ￥14.391872 | ￥143.92 |
| 100+ | ￥11.220098 | ￥1122.01 |
| 500+ | ￥9.269159 | ￥4634.58 |
| 1000+ | ￥8.130781 | ￥8130.78 |
| 2500+ | ￥8.130781 | ￥20326.95 |
