您好,欢迎来到壹方微芯!

IPD60N10S4L12ATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IPD60N10S4L12ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
规格说明书:
IPD60N10S4L12ATMA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 49 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3170 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 94W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.86904 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.568634 ¥17.57
10+ ¥15.698625 ¥156.99
100+ ¥12.23886 ¥1223.89
500+ ¥10.11078 ¥5055.39
1000+ ¥8.86904 ¥8869.04
2500+ ¥8.86904 ¥22172.60

相关产品