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ALD212900ASAL
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- 制造商编号：
- ALD212900ASAL
- 系列：
- EPAD®, Zero Threshold™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）配对 10.6V 80mA 500mW 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- ALD212900ASAL说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Advanced Linear Devices |
| 系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 10mV @ 20µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥57.060139 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥57.060139 | ￥2853.01 |
