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    APTGLQ50H65T1G

    Microchip photo

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    制造商编号：
    APTGLQ50H65T1G
    制造商：
    Microchip微芯
    系列：
    -
    描述：
    IGBT MODULE 650V 70A 175W SP1
    详细描述：
    IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 650 V 70 A 175 W 底座安装 SP1
    规格说明书：
    APTGLQ50H65T1G说明书
    在线客服：
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    服务：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microchip(微芯)
    系列 -
    包装 散装
    零件状态 在售
    IGBT 类型 沟槽型场截止
    配置 全桥
    电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 70 A
    功率 - 最大值 175 W
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 2.3V @ 15V，50A
    电流 - 集电极截止（最大值） 50 µA
    不同 Vce 时输入电容 (Cies) 3.1 nF @ 25 V
    输入 标准
    NTC 热敏电阻 是
    工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 底座安装
    封装/外壳 模块
    供应商器件封装 SP1
    标准包装 1

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    1 / PCS
    包装
    散装
    单价：￥675.006082 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    15+ ￥675.006082 ￥10125.09

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