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1N5231BDO35TR

Microsemi photo

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制造商编号:
1N5231BDO35TR
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
规格说明书:
1N5231BDO35TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 5.1 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 200 mA
工作温度 -65°C ~ 175°C
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 650

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
650 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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