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MTZJT-729.1B

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
MTZJT-729.1B
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
详细描述:
二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±3% 通孔 MSD
规格说明书:
MTZJT-729.1B说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 9.1 V
容差 ±3%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 500 nA @ 6 V
工作温度 -
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AG,DO-34,轴向
供应商器件封装 MSD
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
NZX9V1B,133 Nexperia USA Inc. ¥1.77000 直接

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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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