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SI7216DN-T1-E3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SI7216DN-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 6A 20.8W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双
规格说明书:
SI7216DN-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 670pF @ 20V
功率 - 最大值 20.8W
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.562445 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.61125 ¥16.61
10+ ¥14.876767 ¥148.77
100+ ¥11.595796 ¥1159.58
500+ ¥9.579096 ¥4789.55
1000+ ¥7.562445 ¥7562.45
3000+ ¥7.562445 ¥22687.33

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