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A1P50S65M2
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- 制造商编号：
- A1P50S65M2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1
- 规格说明书：
- A1P50S65M2说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50 A |
| 功率 - 最大值 | 208 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 4.15 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | ACEPACK™ 1 |
| 标准包装 | 18 |
价格库存
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- 标准包装
- 18 / PCS
- 包装
- 托盘
单价：￥442.798109 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥480.097438 | ￥480.10 |
| 18+ | ￥447.906229 | ￥8062.31 |
| 36+ | ￥442.798109 | ￥15940.73 |
