SPD04N60C3BTMA1
![Infineon photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Infineon Technologies.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/aIDUKZ6C.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/aIDUKZ6C.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SPD04N60C3BTMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
- 规格说明书:
- SPD04N60C3BTMA1说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 950 毫欧 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 200µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 490 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.51000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |