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BSZ0910NDXTMA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
BSZ0910NDXTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
DIFFERENTIATED MOSFETS
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 9.5A(Ta),25A(Tc) 1.9W(Ta),31W(Tc) 表面贴装型 PG-WISON-8
规格说明书:
BSZ0910NDXTMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 最后售卖
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.5A(Ta),25A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 800pF @ 15V
功率 - 最大值 1.9W(Ta),31W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-WISON-8
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.841218 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.56683 ¥15.57
5000+ ¥7.841218 ¥39206.09

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