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MBR200150CT

GeneSiC photo

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制造商编号:
MBR200150CT
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
详细描述:
二极管阵列 1 对共阴极 肖特基 150 V 100A 底座安装 双塔架
规格说明书:
MBR200150CT说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
二极管配置 1 对共阴极
二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 150 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) 100A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 880 mV @ 100 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 3 mA @ 150 V
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 双塔架
供应商器件封装 双塔架
标准包装 40

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
40 / PCS
包装
散装
单价:¥902.568388 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
40+ ¥902.568388 ¥36102.74

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