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SIHG35N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG35N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- E
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
- 规格说明书：
- SIHG35N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | E |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 132 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2760 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| APT53N60BC6 | Microchip Technology | ¥66.58000 | 类似 |
| IXFX64N60P3 | IXYS | ¥107.59000 | 类似 |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥69.65000 | 类似 |
| STW48N60DM2 | STMicroelectronics | ¥85.78000 | 类似 |
价格库存
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- 0
- 货期
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥37.749226 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥66.643935 | ￥66.64 |
| 10+ | ￥59.89748 | ￥598.97 |
| 100+ | ￥49.073809 | ￥4907.38 |
| 500+ | ￥41.77585 | ￥20887.92 |
| 1000+ | ￥37.749226 | ￥37749.23 |
