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APT50GP60JDQ2

Microchip photo

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制造商编号:
APT50GP60JDQ2
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 7®
描述:
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
详细描述:
IGBT 模块 PT 单路 600 V 100 A 329 W 底座安装 ISOTOP®
规格说明书:
APT50GP60JDQ2说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 7®
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 A
功率 - 最大值 329 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 525 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 5.7 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装 ISOTOP®
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥328.140563 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
20+ ¥328.140563 ¥6562.81

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