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SI3417DV-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI3417DV-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 8A(Ta) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
规格说明书:
SI3417DV-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25.2 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1350 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),4.2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.425832 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.202547 ¥4.20
10+ ¥3.562218 ¥35.62
100+ ¥2.661157 ¥266.12
500+ ¥2.091128 ¥1045.56
1000+ ¥1.615991 ¥1615.99
3000+ ¥1.473378 ¥4420.13
6000+ ¥1.425832 ¥8554.99

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