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STGWA25M120DF3
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- 制造商编号：
- STGWA25M120DF3
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 1200V 50A 375W TO247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247 长引线
- 规格说明书：
- STGWA25M120DF3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 100 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，25A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 850µJ（开），1.3mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 85 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 28ns/150ns |
| 测试条件 | 600V，25A，15欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 265 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXA33IF1200HB | IXYS | ¥67.96000 | 类似 |
| IXA37IF1200HJ | IXYS | ¥86.86000 | 类似 |
| IXDR30N120D1 | IXYS | ¥76.95000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥71.29976 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥102.738589 | ￥102.74 |
| 10+ | ￥92.850171 | ￥928.50 |
| 100+ | ￥76.873406 | ￥7687.34 |
| 500+ | ￥71.29976 | ￥35649.88 |
