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IRLHS6376TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRLHS6376TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 3.6A 1.5W 表面贴装型 6-PQFN(2x2)
规格说明书:
IRLHS6376TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270pF @ 25V
功率 - 最大值 1.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-PQFN(2x2)
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.736573 ¥6.74
10+ ¥5.909034 ¥59.09
100+ ¥4.528436 ¥452.84
500+ ¥3.580072 ¥1790.04
1000+ ¥2.98339 ¥2983.39
4000+ ¥2.98339 ¥11933.56

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