在线客服 
IPP200N25N3GXKSA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPP200N25N3GXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 250 V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3
- 规格说明书：
- IPP200N25N3GXKSA1说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 64A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7100 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥85.877052 | ￥85.88 |
| 10+ | ￥77.584571 | ￥775.85 |
| 100+ | ￥64.231339 | ￥6423.13 |
| 500+ | ￥60.141612 | ￥30070.81 |
