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IPP200N25N3GXKSA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IPP200N25N3GXKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 250 V 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3
规格说明书:
IPP200N25N3GXKSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 64A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7100 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥65.60235 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥93.674516 ¥93.67
10+ ¥84.629094 ¥846.29
100+ ¥70.063416 ¥7006.34
500+ ¥65.60235 ¥32801.18

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