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APT80GP60B2G
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- 制造商编号：
- APT80GP60B2G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT 600V 100A 1041W TMAX
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 100 A 1041 W 通孔 T-MAX™ [B2]
- 规格说明书：
- APT80GP60B2G说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值 | 1041 W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
| 标准包装 | 1 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| STGW60V60DF | STMicroelectronics | ¥44.16000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥214.530395 | ￥6435.91 |
