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RP1E100RPTR

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
RP1E100RPTR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 10A(Ta) 2W(Ta) MPT6
规格说明书:
RP1E100RPTR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3600 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MPT6
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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