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RJK60S7DPK-M0#T0

Renesas photo

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制造商编号:
RJK60S7DPK-M0#T0
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 30A(Tc) 227.2W(Tc) TO-3PSG
规格说明书:
RJK60S7DPK-M0#T0说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值) +30V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2300 pF @ 25 V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 227.2W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PSG
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
标准包装 100

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
100 / PCS
包装
管件
单价:¥64.45314 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥75.906945 ¥75.91
10+ ¥64.45314 ¥644.53

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