IXFK170N20T
![IXYS photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/IXYS.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/IXYS/QkJumkrb.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/IXYS/QkJumkrb.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IXFK170N20T
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Trench
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 200 V 170A(Tc) 1150W(Tc) TO-264AA(IXFK)
- 规格说明书:
- IXFK170N20T说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Trench |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 265 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 19600 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1150W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-264AA(IXFK) |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥130.51397 | ¥130.51 |
10+ | ¥119.987363 | ¥1199.87 |
100+ | ¥101.339253 | ¥10133.93 |
500+ | ¥90.148336 | ¥45074.17 |
1000+ | ¥84.778968 | ¥84778.97 |