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ES6U1T2R
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- ES6U1T2R
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 12 V 1.3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
- 规格说明书：
- ES6U1T2R说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 260 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 6 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-WEMT |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 8,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SSM6G18NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.99000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 8,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.273782 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.817106 | ￥3.82 |
| 10+ | ￥3.293653 | ￥32.94 |
| 100+ | ￥2.459733 | ￥245.97 |
| 500+ | ￥1.932624 | ￥966.31 |
| 1000+ | ￥1.493396 | ￥1493.40 |
| 2000+ | ￥1.361625 | ￥2723.25 |
| 8000+ | ￥1.273782 | ￥10190.26 |
