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BSP129H6327XTSA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSP129H6327XTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
SIPMOS®
描述:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
详细描述:
表面贴装型 N 通道 240 V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
规格说明书:
BSP129H6327XTSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 SIPMOS®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 350mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.7 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 108 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.784015 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.449513 ¥9.45
10+ ¥8.469748 ¥84.70
100+ ¥6.602101 ¥660.21
500+ ¥5.453762 ¥2726.88
1000+ ¥4.784015 ¥4784.02

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