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AUIRF7342QTR

Infineon photo

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制造商编号:
AUIRF7342QTR
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 55V 3.4A 2W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
AUIRF7342QTR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 690pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥23.640696 ¥23.64
10+ ¥21.237872 ¥212.38
100+ ¥17.070429 ¥1707.04
500+ ¥14.024723 ¥7012.36
1000+ ¥13.356971 ¥13356.97
4000+ ¥13.356971 ¥53427.88

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