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APT45GP120B2DQ2G
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- 制造商编号：
- APT45GP120B2DQ2G
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 7®
- 描述：
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX
- 详细描述：
- IGBT PT 1200 V 113 A 625 W 通孔
- 规格说明书：
- APT45GP120B2DQ2G说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 113 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 170 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 3.9V @ 15V，45A |
| 功率 - 最大值 | 625 W |
| 开关能量 | 900µJ（开），905µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 185 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 18ns/100ns |
| 测试条件 | 600V，45A，5 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 1 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥191.209656 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥208.162829 | ￥208.16 |
| 100+ | ￥191.209656 | ￥19120.97 |
