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EPC2101

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制造商编号:
EPC2101
制造商:
EPC
系列:
eGaN®
描述:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 60V 9.5A,38A - 表面贴装型 模具
规格说明书:
EPC2101说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.5A,38A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.5 毫欧 @ 20A,5V,2.7 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.7nC @ 5V,12nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 300pF @ 30V,1200pF @ 30V
功率 - 最大值 -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 模具
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥35.438484 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥67.128844 ¥67.13
10+ ¥60.24189 ¥602.42
100+ ¥49.360278 ¥4936.03
500+ ¥42.019921 ¥21009.96
1000+ ¥35.438484 ¥35438.48

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