AUIRF7343QTR
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- 制造商编号:
- AUIRF7343QTR
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET 55V 4.7A/3.4A 8SO
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 55V 4.7A,3.4A 2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- AUIRF7343QTR说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 55V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A,3.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 4.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 740pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥11.958608 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥21.199237 | ¥21.20 |
10+ | ¥19.010929 | ¥190.11 |
100+ | ¥15.283344 | ¥1528.33 |
500+ | ¥12.556538 | ¥6278.27 |
1000+ | ¥11.958608 | ¥11958.61 |
4000+ | ¥11.958608 | ¥47834.43 |