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RGT8NL65DGTL

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGT8NL65DGTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
FIELD STOP TRENCH IGBT
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 65 W 表面贴装型 LPDS
规格说明书:
RGT8NL65DGTL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值 65 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 13.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值 17ns/69ns
测试条件 400V,4A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 40 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 LPDS
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.106725 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.897222 ¥16.90
10+ ¥15.182632 ¥151.83
100+ ¥12.202057 ¥1220.21
500+ ¥10.025212 ¥5012.61
1000+ ¥8.306669 ¥8306.67
2000+ ¥8.106725 ¥16213.45

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