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BSC010NE2LSATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSC010NE2LSATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 39A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8-7
- 规格说明书：
- BSC010NE2LSATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4700 pF @ 12 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-7 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFH4210DTRPBF | Infineon Technologies | ¥16.43000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.582124 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.712523 | ￥18.71 |
| 10+ | ￥16.825107 | ￥168.25 |
| 100+ | ￥13.524118 | ￥1352.41 |
| 500+ | ￥11.111135 | ￥5555.57 |
| 1000+ | ￥10.582124 | ￥10582.12 |
| 5000+ | ￥10.582124 | ￥52910.62 |
