在线客服 
TK31J60W5,S1VQ
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK31J60W5,S1VQ
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
- 规格说明书：
- TK31J60W5,S1VQ说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 15.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 105 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3000 pF @ 300 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 25 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCA47N60-F109 | onsemi | ¥77.72000 | 类似 |
| FCA36N60NF | onsemi | ¥88.86000 | 类似 |
| FCA35N60 | onsemi | ¥56.75000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥75.581683 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 25+ | ￥75.581683 | ￥1889.54 |
