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SISH407DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISH407DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 15.4A（Ta），25A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK® 1212-8SH
- 规格说明书：
- SISH407DN-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15.4A（Ta），25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93.8 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2760 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.1386 | ￥8.14 |
| 10+ | ￥7.152622 | ￥71.53 |
| 100+ | ￥5.481815 | ￥548.18 |
| 500+ | ￥4.333269 | ￥2166.63 |
| 1000+ | ￥3.466611 | ￥3466.61 |
| 3000+ | ￥3.249946 | ￥9749.84 |
