TSM7ND65CI
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- 制造商编号:
- TSM7ND65CI
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 7A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
- 规格说明书:
- TSM7ND65CI说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.35 欧姆 @ 1.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1124 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | ITO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.564334 | ¥13.56 |
10+ | ¥12.158887 | ¥121.59 |
100+ | ¥9.477138 | ¥947.71 |
500+ | ¥7.828946 | ¥3914.47 |
1000+ | ¥6.180731 | ¥6180.73 |
2000+ | ¥5.768626 | ¥11537.25 |
5000+ | ¥5.618803 | ¥28094.01 |