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APTGLQ25H120T2G

Microsemi photo

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制造商编号:
APTGLQ25H120T2G
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP2
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 50 A 165 W 底座安装 SP2
规格说明书:
APTGLQ25H120T2G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 A
功率 - 最大值 165 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.42V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值) 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 1.43 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 SP2
标准包装 1

价格库存

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货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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