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IXTP05N100M

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXTP05N100M
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 700mA(Tc) 25W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
IXTP05N100M说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 700mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17 欧姆 @ 375mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 260 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥19.930205 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥38.767871 ¥38.77
10+ ¥34.785399 ¥347.85
100+ ¥28.500478 ¥2850.05
500+ ¥24.261725 ¥12130.86
1000+ ¥20.461677 ¥20461.68
2000+ ¥19.930205 ¥39860.41

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