您好，欢迎来到壹方微芯！
搜索
    我的购物车

    PZM6.8NB2,115

    NXP photo

    图像仅供参考

    请参阅产品规格

    制造商编号：
    PZM6.8NB2,115
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    -
    描述：
    DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3
    详细描述：
    二极管 - 齐纳 6.8 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SMT3; MPAK
    规格说明书：
    PZM6.8NB2,115说明书
    在线客服：
    咨询客服
    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 -
    包装 卷带（TR）
    零件状态 停产
    电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 6.8 V
    容差 ±2%
    功率 - 最大值 300 mW
    阻抗（最大值）(Zzt) 15 Ohms
    不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 3.5 V
    不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 100 mA
    工作温度 -65°C ~ 150°C
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
    供应商器件封装 SMT3; MPAK
    标准包装 3,000

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    SZBZX84B6V8LT1G onsemi ¥1.77000 类似
    BZX84B6V2LT1G onsemi ¥1.54000 类似
    BZX84B6V8LT1G onsemi ¥1.61000 类似
    BZX84C6V8LT3G onsemi ¥1.15000 类似
    SZMMBZ5235BLT1G onsemi ¥1.38000 类似

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    暂无报价

    相关产品