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FDS6875

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制造商编号:
FDS6875
制造商:
ON安森美
系列:
PowerTrench®
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 6A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
FDS6875说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 PowerTrench®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2250pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7314TRPBF Infineon Technologies ¥7.83000 直接

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.498517 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.465556 ¥13.47
10+ ¥12.050616 ¥120.51
100+ ¥9.394805 ¥939.48
500+ ¥7.761059 ¥3880.53
1000+ ¥6.498555 ¥6498.55
2500+ ¥6.498517 ¥16246.29

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