94-3250
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- 制造商编号:
- 94-3250
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 12A(Ta),49A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ MQ
- 规格说明书:
- 94-3250说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Ta),49A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,7V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11.5 毫欧 @ 12A,7V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2270 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta),42W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MQ |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MQ |
标准包装 | 4,800 |
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- 标准包装
- 4,800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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