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SCTW40N120G2VAG
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- 制造商编号：
- SCTW40N120G2VAG
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 1200 V 33A（Tc） 290W（Tc） HiP247™
- 规格说明书：
- SCTW40N120G2VAG说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105毫欧 @ 20A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1230 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 290W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | HiP247™ |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | ¥89.62000 | 类似 |
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- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥181.971514 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥220.758035 | ￥220.76 |
| 10+ | ￥203.603439 | ￥2036.03 |
| 100+ | ￥181.971514 | ￥18197.15 |
