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STN3P6F6
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- 制造商编号：
- STN3P6F6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V SOT223
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 60 V 3A（Tj） 2.6W（Tc） SOT-223
- 规格说明书：
- STN3P6F6说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 48 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥8.754125 | ￥8.75 |
| 10+ | ￥7.852496 | ￥78.52 |
| 100+ | ￥6.123214 | ￥612.32 |
| 500+ | ￥5.058607 | ￥2529.30 |
| 1000+ | ￥4.235754 | ￥4235.75 |
| 4000+ | ￥4.235708 | ￥16942.83 |
