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IRF7317TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF7317TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 6.6A,5.3A 2W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
IRF7317TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.6A,5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 900pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.239265 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.321668 ¥12.32
10+ ¥11.04847 ¥110.48
100+ ¥8.610247 ¥861.02
500+ ¥7.112798 ¥3556.40
1000+ ¥6.239265 ¥6239.26
4000+ ¥6.239265 ¥24957.06

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