在线客服 
BSR315PH6327XTSA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSR315PH6327XTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- SIPMOS®
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 60 V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC59-3
- 规格说明书：
- BSR315PH6327XTSA1说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 620mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 620mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 160µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 176 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SC59-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.503624 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.589792 | ￥6.59 |
| 10+ | ￥5.633651 | ￥56.34 |
| 100+ | ￥4.206152 | ￥420.62 |
| 500+ | ￥3.304743 | ￥1652.37 |
| 1000+ | ￥2.553669 | ￥2553.67 |
| 3000+ | ￥2.503624 | ￥7510.87 |
