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SSM3J35MFV,L3F

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请参阅产品规格

制造商编号:
SSM3J35MFV,L3F
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
规格说明书:
SSM3J35MFV,L3F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12.2 pF @ 3 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 VESM
封装/外壳 SOT-723
标准包装 8,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
8,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥2.188531 ¥2.19
10+ ¥1.759944 ¥17.60
100+ ¥0.933203 ¥93.32
500+ ¥0.613837 ¥306.92
1000+ ¥0.417394 ¥417.39
2000+ ¥0.376519 ¥753.04
8000+ ¥0.327402 ¥2619.22
16000+ ¥0.278297 ¥4452.75

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