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TPH3212PS

Transphorm photo

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制造商编号:
TPH3212PS
制造商:
Transphorm
系列:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 27A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
TPH3212PS说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Transphorm
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 72 毫欧 @ 17A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 400uA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14 nC @ 8 V
Vgs(最大值) ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1130 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

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型号 品牌 参考价格 说明
TP65H070LDG Transphorm ¥99.68000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥116.516489 ¥116.52
10+ ¥107.110364 ¥1071.10
100+ ¥90.462823 ¥9046.28

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