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RGT30NS65DGC9
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RGT30NS65DGC9
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
- 规格说明书：
- RGT30NS65DGC9说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 45 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，15A |
| 功率 - 最大值 | 133 W |
| 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 32 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 18ns/64ns |
| 测试条件 | 400V，15A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 55 ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.549508 | ￥23.55 |
| 10+ | ￥21.122746 | ￥211.23 |
| 100+ | ￥16.977873 | ￥1697.79 |
| 500+ | ￥13.948535 | ￥6974.27 |
| 1000+ | ￥11.557371 | ￥11557.37 |
| 2000+ | ￥11.279177 | ￥22558.35 |
