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SI3475DV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3475DV-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 200 V 950mA（Tc） 6-TSOP
- 规格说明书：
- SI3475DV-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 950mA（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.61 欧姆 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥7.45000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 剪切带（CT）
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