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CSD25202W15T

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制造商编号:
CSD25202W15T
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 4A(Ta) 500mW(Ta) 9-DSBGA
规格说明书:
CSD25202W15T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1010 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 9-DSBGA
封装/外壳 9-UFBGA,DSBGA
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.149507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.794144 ¥12.79
10+ ¥11.401584 ¥114.02
100+ ¥8.890003 ¥889.00
250+ ¥8.310598 ¥2077.65
500+ ¥7.344261 ¥3672.13
1000+ ¥6.149507 ¥6149.51

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