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    PMDPB65UP,115

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    制造商编号：
    PMDPB65UP,115
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.5A 520mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
    规格说明书：
    PMDPB65UP,115说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 -
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    FET 类型 2 个 P 沟道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 20V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 70 毫欧 @ 1A，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 380pF @ 10V
    功率 - 最大值 520mW
    工作温度 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
    供应商器件封装 6-HUSON（2x2）
    标准包装 3,000

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    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
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    阶梯 单价(含税价) 总价
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