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SI5504BDC-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI5504BDC-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A,3.7A 3.12W,3.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
规格说明书:
SI5504BDC-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A,3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 220pF @ 15V
功率 - 最大值 3.12W,3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.568976 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.021457 ¥10.02
10+ ¥8.985741 ¥89.86
100+ ¥7.005819 ¥700.58
500+ ¥5.787379 ¥2893.69
1000+ ¥4.568976 ¥4568.98
3000+ ¥4.568976 ¥13706.93

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