IXFK60N55Q2
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- 制造商编号:
- IXFK60N55Q2
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Q2 Class
- 描述:
- MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 550 V 60A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
- 规格说明书:
- IXFK60N55Q2说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Q2 Class |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 550 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 88 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 8mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 200 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7300 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 735W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-264AA(IXFK) |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
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- 标准包装
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- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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