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IXTP18P10T

IXYS photo

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制造商编号:
IXTP18P10T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
TrenchP™
描述:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
详细描述:
通孔 P 通道 100 V 18A(Tc) 83W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
IXTP18P10T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 TrenchP™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2100 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥23.720487 ¥23.72
10+ ¥21.306263 ¥213.06
100+ ¥17.124003 ¥1712.40
500+ ¥14.068813 ¥7034.41
1000+ ¥11.657075 ¥11657.08
2000+ ¥10.962729 ¥21925.46

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